Numer produktu producenta:
CPMF-1200-S080B
Product Overview
Producent:
Wolfspeed, Inc.
Numer części:
CPMF-1200-S080B-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 50A DIE
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Magazyn:
13232567
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
CPMF-1200-S080B Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Wolfspeed
Opakowanie
-
Seria
Z-FET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
90.8 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1915 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
313mW (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Pakiet / Walizka
Die
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
E3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
C2M1000170J-TR
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L