WI62195
Numer produktu producenta:

WI62195

Product Overview

Producent:

Wise-Integration

Numer części:

WI62195-DG

Opis:

GANFET 2P-CH 750V 9A 14QFN
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 750V 9A (Tj) Surface Mount 14-PQFN (6x8)

Magazyn:

12787881
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

WI62195 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Wise-Integration
Opakowanie
Tray
Seria
WiseGan™
Status produktu
Active
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguracja
2 P-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
750V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tj)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.75V @ 10mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.9nC @ 6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
53.5pF @ 400V
Moc - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
14-PowerLDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
14-PQFN (6x8)

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
4296-WI62175T-DG
4296-WI62195
WI62175T
4296-WI62175T
Pakiet Standard
1,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
rohm-semi

HT8KE5TB1

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE7TB1

MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP

rohm-semi

HP8ME5TB1

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP

rohm-semi

HT8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT