Numer produktu producenta:
SIE832DF-T1-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIE832DF-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Magazyn:
13062308
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIE832DF-T1-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3800 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
10-PolarPAK® (S)
Pakiet / Walizka
10-PolarPAK® (S)
Podstawowy numer produktu
SIE832
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIE832DF-T1-E3CT
SIE832DFT1E3
SIE832DF-T1-E3TR
SIE832DF-T1-E3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI5441DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
SIHF530STRL-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
SI4456DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
