Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SI7758DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI7758DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13060269
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI7758DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
SkyFET®, TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7150 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SI7758
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SI7758DP-T1-GE3
Karta danych HTML
SI7758DP-T1-GE3-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI7758DP-T1-GE3DKR
SI7758DP-T1-GE3TR
SI7758DP-T1-GE3CT
SI7758DPT1GE3
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
CSD17501Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6998
NUMER CZĘŚCI
CSD17501Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.76
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD17306Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5251
NUMER CZĘŚCI
CSD17306Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.45
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RS1E240BNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2500
NUMER CZĘŚCI
RS1E240BNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.22
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD17301Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
13376
NUMER CZĘŚCI
CSD17301Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.62
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SI7192DP-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3000
NUMER CZĘŚCI
SI7192DP-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.33
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
SI7860ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
SI3812DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP