Numer produktu producenta:
SI7430DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI7430DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
6014 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13061060
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI7430DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
-
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1735 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SI7430
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI7430DPT1GE3
SI7430DP-T1-GE3CT
SI7430DP-T1-GE3TR
SI7430DP-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SUM110N03-04P-E3
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
SQP25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
