Numer produktu producenta:
TP0610K-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
TP0610K-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Magazyn:
30276 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12870416
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TP0610K-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
185mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
23 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
TP0610
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TP0610K-T1-GE3CT
TP0610KT1GE3
TP0610K-T1-GE3-DG
TP0610K-T1-GE3TR
TP0610K-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUK7619-100B,118
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
CPC5602CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
STF13N95K3
MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
