SUD50P10-43-E3
Numer produktu producenta:

SUD50P10-43-E3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SUD50P10-43-E3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Magazyn:

12787003
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SUD50P10-43-E3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5230 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
SUD50

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
SUD50P10-43L-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4019
NUMER CZĘŚCI
SUD50P10-43L-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.02
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SIHFB20N50K-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

vishay-siliconix

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

vishay-siliconix

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

vishay-siliconix

SIE882DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK