Numer produktu producenta:
SQW33N65EF-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQW33N65EF-GE3-DG
Opis:
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AD
Magazyn:
519 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12958940
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQW33N65EF-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Bulk
Seria
E
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
34A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
109mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3972 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SQW33N65EF-GE3
Pakiet Standard
480
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPTG210N25NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
NP90N06VDK-E1-AY
POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
