SQP120N10-09_GE3
Numer produktu producenta:

SQP120N10-09_GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SQP120N10-09_GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Magazyn:

229 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12915928
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SQP120N10-09_GE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8645 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
SQP120

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SQP120N10-09_GE3TRINACTIVE
SQP120N10-09_GE3CT-DG
SQP120N10-09_GE3DKR-DG
SQP120N10-09_GE3CT
SQP120N10-09_GE3TR
SQP120N10-09_GE3DKR
SQP120N10-09_GE3DKRINACTIVE
SQP120N10-09_GE3TR-DG
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
TK34E10N1,S1X
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5
NUMER CZĘŚCI
TK34E10N1,S1X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.53
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPP100N08N3GXKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
587
NUMER CZĘŚCI
IPP100N08N3GXKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.00
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
AOT288L
PRODUCENT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
AOT288L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.76
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPP083N10N5AKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IPP083N10N5AKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.71
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDP085N10A-F102
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
798
NUMER CZĘŚCI
FDP085N10A-F102-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.12
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3440ADV-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7664DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA