Numer produktu producenta:
SQM90142E_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQM90142E_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12787136
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQM90142E_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
95A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SQM90142
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQM90142E_GE3CT
SQM90142E_GE3TR
SQM90142E_GE3DKR
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPB156N22NFDATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1051
NUMER CZĘŚCI
IPB156N22NFDATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.78
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHB11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
SUD50P04-40P-T4-E3
MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
SUM52N20-39P-E3
MOSFET N-CH 200V 52A TO263
