Numer produktu producenta:
SQM40P10-40L_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQM40P10-40L_GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12786368
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQM40P10-40L_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5295 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SQM40
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQM40P10-40L_GE3DKR
SQM40P10-40L_GE3CT
SQM40P10-40L_GE3TR
SQM40P10-40L_GE3-DG
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHG17N60D-GE3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
SIR820DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SUM110N08-07P-E3
MOSFET N-CH 75V 110A TO263
