SQM120N06-06_GE3
Numer produktu producenta:

SQM120N06-06_GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SQM120N06-06_GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Magazyn:

12920341
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SQM120N06-06_GE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6495 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
230W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SQM120

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SQM120N06-06_GE3TR
SQM120N06-06_GE3-DG
SQM120N06-06_GE3CT
SQM120N06-06_GE3DKR
Pakiet Standard
800

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IRFS3307ZTRLPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
22960
NUMER CZĘŚCI
IRFS3307ZTRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.35
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IRF3808STRLPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3022
NUMER CZĘŚCI
IRF3808STRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.30
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
BUK6607-55C,118
PRODUCENT
NXP USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
400
NUMER CZĘŚCI
BUK6607-55C,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.80
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPB80N06S407ATMA2
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1176
NUMER CZĘŚCI
IPB80N06S407ATMA2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.68
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SIRA72DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3427EEV-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4406DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

vishay-siliconix

SI7460DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8