Numer produktu producenta:
SQM100N04-2M7_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQM100N04-2M7_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12920251
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQM100N04-2M7_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7910 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
157W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SQM100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-DG
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPB100N04S2L03ATMA2
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IPB100N04S2L03ATMA2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.80
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
VS-FC420SA10
MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
SUD19P06-60L-E3
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
SI7403BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
