SQJA04EP-T1_BE3
Numer produktu producenta:

SQJA04EP-T1_BE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SQJA04EP-T1_BE3-DG

Opis:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Magazyn:

3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12977694
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SQJA04EP-T1_BE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
742-SQJA04EP-T1_BE3DKR
742-SQJA04EP-T1_BE3CT
742-SQJA04EP-T1_BE3TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SIHP23N60E-BE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SQJ459EP-T2_BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2333CDS-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ409EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET