SQJ431EP-T1_GE3
Numer produktu producenta:

SQJ431EP-T1_GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SQJ431EP-T1_GE3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
P-Channel 200 V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Magazyn:

15056 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12963903
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SQJ431EP-T1_GE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4355 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SQJ431

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SQJ431EP-T1_GE3CT
SQJ431EP-T1_GE3TR
SQJ431EP-T1_GE3DKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FCPF250N65S3R0L-F154

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTMFS5C426NLT1G

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40

onsemi

NTPF165N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

vishay-siliconix

SUM70042E-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P