Numer produktu producenta:
SQJ186EP-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQJ186EP-T1_GE3-DG
Opis:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
2779 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12965731
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQJ186EP-T1_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1942 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SQJ186EP-T1_GE3DKR
742-SQJ186EP-T1_GE3TR
742-SQJ186EP-T1_GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7386DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
TK6R8A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
R6070JNZ4C13
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
