Numer produktu producenta:
SQ4949EY-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQ4949EY-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
46149 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12786257
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQ4949EY-T1_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1020pF @ 25V
Moc - Max
3.3W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
SQ4949
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQ4949EY-T1_GE3DKR
SQ4949EY-T1_GE3CT
SQ4949EY-T1_GE3TR
SQ4949EY-T1_GE3-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIA928DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
SIZ926DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR
