Numer produktu producenta:
SQ1421EDH-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQ1421EDH-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Magazyn:
10684 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12920402
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQ1421EDH-T1_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
290mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
355 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-70-6
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Podstawowy numer produktu
SQ1421
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQ1421EEH-T1-GE3
SQ1421EEH-T1-GE3CT
SQ1421EDH-T1_GE3TR
SQ1421EEH-T1-GE3TR
SQ1421EEHT1GE3
SQ1421EEH-T1-GE3DKR
SQ1421EEH-T1-GE3TR-DG
SQ1421EDH-T1_GE3DKR
SQ1421EEH-T1-GE3DKR-DG
SQ1421EEH-T1-GE3CT-DG
SQ1421EDH-T1_GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHP690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
SIHFL9014TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
NTTS2P02R2
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
