Numer produktu producenta:
SISS76LDN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Magazyn:
12945157
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SISS76LDN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
70 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
3.3V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2780 pF @ 35 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8SH
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8SH
Podstawowy numer produktu
SISS76
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
