Numer produktu producenta:
SISS63DN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SISS63DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Magazyn:
37687 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13141847
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SISS63DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen III
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
236 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7080 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8S
Podstawowy numer produktu
SISS63
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SISS63DN-T1-GE3CT
742-SISS63DN-T1-GE3DKR
742-SISS63DN-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHP11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
SQJQ144AE-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8