Numer produktu producenta:
SISS588DN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SISS588DN-T1-GE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Magazyn:
12974369
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SISS588DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen V
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1380 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8S
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SISS588DN-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
PJW5N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4441P-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
