Numer produktu producenta:
SISA10DN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SISA10DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Magazyn:
4232 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12786122
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SISA10DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2425 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SISA10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SISA10DNT1GE3
SISA10DN-T1-GE3TR
SISA10DN-T1-GE3CT
SISA10DN-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SUD45P03-10-E3
MOSFET P-CH 30V TO252
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
