Numer produktu producenta:
SIS414DN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIS414DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Magazyn:
12786659
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIS414DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
795 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SIS414
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIS414DNT1GE3
SIS414DN-T1-GE3DKR
SIS414DN-T1-GE3CT
SIS414DN-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RQ3E100MNTB1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5261
NUMER CZĘŚCI
RQ3E100MNTB1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.40
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RQ3E080BNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
40431
NUMER CZĘŚCI
RQ3E080BNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.10
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SISA88DN-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
36506
NUMER CZĘŚCI
SISA88DN-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIRA20DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
SIHU4N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
