Numer produktu producenta:
SIS176LDN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIS176LDN-T1-GE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Szczegółowy opis:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Magazyn:
19887 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12950360
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIS176LDN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
70 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
3.3V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1660 pF @ 35 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
