Numer produktu producenta:
SIS106DN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIS106DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 16A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Magazyn:
4890 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12787419
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIS106DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.8A (Ta), 16A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
540 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.2W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SIS106
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIS106DN-T1-GE3CT
SIS106DN-T1-GE3TR
SIS106DN-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIS472ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
SQJ443EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
SUM90N06-5M5P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO263
