Numer produktu producenta:
SIRS700DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIRS700DP-T1-GE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7.4W (Ta),132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
4359 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12974811
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIRS700DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Ta), 127A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5950 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
7.4W (Ta),132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIRS700DP-T1-GE3TR
742-SIRS700DP-T1-GE3DKR
742-SIRS700DP-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
G1003A
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
TSM500N15CS RLG
150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G1003A
MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23
