Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SIR878DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR878DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12920382
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR878DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 44.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR878
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SIR878DP-T1-GE3
Karta danych HTML
SIR878DP-T1-GE3-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIR878DP-T1-GE3CT
SIR878DPT1GE3
SIR878DP-T1-GE3DKR
SIR878DP-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIR878BDP-T1-RE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
13036
NUMER CZĘŚCI
SIR878BDP-T1-RE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.56
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STL60N10F7
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2720
NUMER CZĘŚCI
STL60N10F7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.51
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD19534Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
17145
NUMER CZĘŚCI
CSD19534Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.35
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD19534Q5AT
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9101
NUMER CZĘŚCI
CSD19534Q5AT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7856ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SUP90N08-7M7P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
SI2305ADS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3