SIR662DP-T1-GE3
Numer produktu producenta:

SIR662DP-T1-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SIR662DP-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Magazyn:

12920197
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SIR662DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4365 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR662

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML
Rysunki produktów

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SIR662DPDKR
SIR662DPDKR-DG
SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPT1GE3
SIR662DPCT
SIR662DP
SIR662DPTR
SIR662DP-T1-GE3DKR
SIR662DP-T1-GE3TR
SIR662DPTR-DG
SIR662DPCT-DG
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
RS3L045GNGZETB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1173
NUMER CZĘŚCI
RS3L045GNGZETB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.25
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TPH7R006PL,L1Q
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
54092
NUMER CZĘŚCI
TPH7R006PL,L1Q-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.25
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RS1L145GNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1003
NUMER CZĘŚCI
RS1L145GNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.81
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

nexperia

PMBF170,235

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

vishay-siliconix

SI5449DC-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

vishay-siliconix

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC