Numer produktu producenta:
SIR618DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR618DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 14.2A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12915696
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR618DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
ThunderFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 7.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
740 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR618
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIR618DP-T1-GE3CT-DG
742-SIR618DP-T1-GE3DKR
SIR618DP-T1-GE3DKR
SIR618DP-T1-GE3DKR-DG
SIR618DP-T1-GE3CT
742-SIR618DP-T1-GE3CT
SIR618DP-T1-GE3TR-DG
SIR618DP-T1-GE3TR
742-SIR618DP-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI4004DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
SI5402DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
