Numer produktu producenta:
SIR5623DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR5623DP-T1-RE3-DG
Opis:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12999093
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR5623DP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1575 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR5623
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIR5623DP-T1-RE3CT
742-SIR5623DP-T1-RE3DKR
742-SIR5623DP-T1-RE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB60CH
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM240N03CX6
30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
