Numer produktu producenta:
SIR500DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR500DP-T1-RE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
8187 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12950365
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR500DP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen V
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+16V, -12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8960 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIR500DP-T1-RE3CT
742-SIR500DP-T1-RE3DKR
742-SIR500DP-T1-RE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQS414CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIS178LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
DMP3007SCG-13
MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
