Numer produktu producenta:
SIR484DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR484DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12787770
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR484DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR484
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIR484DP-T1-GE3TR
SIR484DP-T1-GE3CT
SIR484DP-T1-GE3DKR
SIR484DP-T1-GE3-DG
SIR484DPT1GE3
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIR172ADP-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2689
NUMER CZĘŚCI
SIR172ADP-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.13
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
VP0808B-2
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
SIB433EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
VP0808B
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
