Numer produktu producenta:
SIR178DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR178DP-T1-RE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12953875
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR178DP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Ta), 430A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+12V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12430 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR178
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIR178DP-T1-RE3DKR
742-SIR178DP-T1-RE3CT
742-SIR178DP-T1-RE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RQ3E160ADTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
17994
NUMER CZĘŚCI
RQ3E160ADTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTMFSC010N08M7
MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
IRFIBF20G
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
IRFP460APBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
