Numer produktu producenta:
SIR165DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR165DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
16189 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12786466
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR165DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen III
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4930 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
69.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR165
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIR165DP-T1-GE3CT
SIR165DP-T1-GE3TR
SIR165DP-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
SQD90P04-9M4L_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
