Numer produktu producenta:
SIR150DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR150DP-T1-RE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 45 V 30.9A (Ta), 110A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
16762 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13270166
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR150DP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
45 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30.9A (Ta), 110A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.71mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR150
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIR150DP-T1-RE3CT
742-SIR150DP-T1-RE3DKR
742-SIR150DP-T1-RE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
SIJ150DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
SQS840CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W