SIHS36N50D-E3
Numer produktu producenta:

SIHS36N50D-E3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SIHS36N50D-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 36A (Tc) 446W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)

Magazyn:

12917691
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SIHS36N50D-E3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3233 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
446W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
SUPER-247™ (TO-274AA)
Pakiet / Walizka
TO-274AA
Podstawowy numer produktu
SIHS36

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SIHS36N50DE3
Pakiet Standard
500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SI3465DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP

vishay-siliconix

SI2343DS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

nexperia

PMPB20EN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

vishay-siliconix

SIA462DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK