Numer produktu producenta:
SIHP16N50C-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIHP16N50C-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
963 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12786625
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIHP16N50C-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
SIHP16
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIHP16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP16N50C-E3TR-DG
SIHP16N50C-E3TRINACTIVE
SIHP16N50C-E3CT-DG
SIHP16N50C-E3DKR-DG
SIHP16N50C-E3TR
SIHP16N50C-E3CT
SIHP16N50C-E3DKR
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHB22N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
