Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SIHG64N65E-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIHG64N65E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12917532
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIHG64N65E-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
64A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7497 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AC
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
SIHG64
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SIHG64N65E-GE3
Karta danych HTML
SIHG64N65E-GE3-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIHG64N65E-GE3-DG
742-SIHG64N65E-GE3
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
APT60N60BCSG
PRODUCENT
Microchip Technology
ILOŚĆ DOSTĘPNA
137
NUMER CZĘŚCI
APT60N60BCSG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
15.64
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FCH040N65S3-F155
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1185
NUMER CZĘŚCI
FCH040N65S3-F155-DG
CENA JEDNOSTKOWA
7.17
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPW65R045C7FKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1670
NUMER CZĘŚCI
IPW65R045C7FKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
6.73
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TK62N60X,S1F
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
102
NUMER CZĘŚCI
TK62N60X,S1F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.71
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TSM60NB041PW C1G
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2485
NUMER CZĘŚCI
TSM60NB041PW C1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
8.76
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PMV164ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
BUK6E2R3-40C,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223