Numer produktu producenta:
SIHG17N60D-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIHG17N60D-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
Magazyn:
12787351
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIHG17N60D-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1780 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
277.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AC
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
SIHG17
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-DG
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFH22N60P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFH22N60P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.01
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SIHP11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
