Numer produktu producenta:
SIE854DF-T1-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIE854DF-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Magazyn:
12955054
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIE854DF-T1-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
10-PolarPAK® (L)
Pakiet / Walizka
10-PolarPAK® (L)
Podstawowy numer produktu
SIE854
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIR846ADP-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SIR846ADP-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.86
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RJK0230DPA-WS#J5A
N-CHANNEL POWER MOSFET
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
IRF520PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
