Numer produktu producenta:
SIDR626DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIDR626DP-T1-RE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Magazyn:
9825 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12999000
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIDR626DP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
42.8A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5130 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8DC
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIDR626DP-T1-RE3CT
742-SIDR626DP-T1-RE3DKR
742-SIDR626DP-T1-RE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
5N20A
N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
TSM1NB60CH
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SIR5112DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
