Numer produktu producenta:
SIDR610DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIDR610DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Magazyn:
12786688
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIDR610DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
31.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1380 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8DC
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIDR610
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIDR610DP-T1-GE3TR
SIDR610DP-T1-GE3CT
SIDR610DP-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR474DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SIHH11N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
SUD50N024-09P-E3
MOSFET N-CH 22V 49A TO252