Numer produktu producenta:
SIB437EDKT-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
Magazyn:
12786981
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIB437EDKT-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.2V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±5V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® TSC75-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® TSC-75-6
Podstawowy numer produktu
SIB437
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
SIB437EDKT-T1-GE3TR
SIB437EDKT-T1-GE3CT
SIB437EDKT-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHP12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8