Numer produktu producenta:
SIA443DJ-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIA443DJ-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 3.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Magazyn:
12786032
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIA443DJ-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
750 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6
Podstawowy numer produktu
SIA443
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIA431DJ-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3531
NUMER CZĘŚCI
SIA431DJ-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.17
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PMPB33XP,115
PRODUCENT
NXP USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
31498
NUMER CZĘŚCI
PMPB33XP,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
SQJA94EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SUM90P10-19-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263