Numer produktu producenta:
SIA438EDJ-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIA438EDJ-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Magazyn:
12916597
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIA438EDJ-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6
Podstawowy numer produktu
SIA438
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
SIHH26N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
