Numer produktu producenta:
SIA4371EDJ-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIA4371EDJ-T1-GE3-DG
Opis:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Magazyn:
5510 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12974690
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIA4371EDJ-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.4A (Ta), 9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR
742-SIA4371EDJ-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NVTYS025P04M8LTWG
MV8 40V P-CH LL IN LFPAK
DI035N10PT
MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
PH6030DLBX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
