Numer produktu producenta:
SIA429DJT-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIA429DJT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Magazyn:
27360 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12915042
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIA429DJT-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1750 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6
Podstawowy numer produktu
SIA429
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIA429DJT-T1-GE3DKR
SIA429DJT-T1-GE3TR
SIA429DJT-T1-GE3CT
SIA429DJTT1GE3
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI4620DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO
SI3442CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
SI4158DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
