Numer produktu producenta:
SIA425EDJ-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIA425EDJ-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Magazyn:
12919938
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIA425EDJ-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (maks.)
±12V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6
Podstawowy numer produktu
SIA425
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIA425EDJ-T1-GE3TR
SIA425EDJT1GE3
SIA425EDJ-T1-GE3CT
SIA425EDJ-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIA459EDJ-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
15828
NUMER CZĘŚCI
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.12
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
SI9410BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
