Numer produktu producenta:
SI9936BDY-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI9936BDY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 4.5A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12918371
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI9936BDY-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.5A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
SI9936
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDS6930B
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
970
NUMER CZĘŚCI
FDS6930B-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.18
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
ZXMN3A06DN8TA
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1033
NUMER CZĘŚCI
ZXMN3A06DN8TA-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.41
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTZD5110NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
