Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SI7946DP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI7946DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12920336
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI7946DP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.1A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
1.4W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8 Dual
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Podstawowy numer produktu
SI7946
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SI7946DP-T1-GE3
Karta danych HTML
SI7946DP-T1-GE3-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI7946DP-T1-GE3TR
SI7946DP-T1-GE3CT
SI7946DPT1GE3
SI7946DP-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SI7956DP-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6414
NUMER CZĘŚCI
SI7956DP-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.30
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SI7946ADP-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SI7946ADP-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.87
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI3981DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
SQ3985EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SI3951DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6TSOP
SI7983DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8